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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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