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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2329
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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