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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2844
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
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Kingston XJ69DF-HYA 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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