PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Pontuação geral
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 71
    Por volta de 62% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 71
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2274 left arrow 1130
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