PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 71
    Wokół strony 62% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 71
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2274 left arrow 1130
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania