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PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
4.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
4.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
1130
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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