PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Puntuación global
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 71
    En 62% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 71
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2274 left arrow 1130
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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