PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

PNY Electronics PNY 2GB против Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 71
    Около 62% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.8 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 4.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 71
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 6.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 4.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 1130
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения