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PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
71
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
4.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
71
Velocità di lettura, GB/s
13.8
6.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
4.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1130
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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