PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Punteggio complessivo
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 71
    Intorno 62% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 71
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2274 left arrow 1130
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