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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
13.8
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2041
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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