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PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 71
    周辺 62% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 4.7
    テスト平均値
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB 考慮すべき理由
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 6.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 4.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 1130

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