PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Note globale
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 71
    Autour de 62% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 71
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.8 left arrow 6.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 4.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2274 left arrow 1130
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons