RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3001
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link