RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
26
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2806
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link