RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2806
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link