RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2723
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link