RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de -50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
26
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
2806
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link