RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2806
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link