RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2404
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link