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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Comparar
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1453
2844
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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