RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
50
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
21
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2801
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link