RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
50
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2801
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link