RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2844
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link