RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2436
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link