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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
12.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
42
周辺 -50% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
9.4
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
28
読み出し速度、GB/s
13.2
12.4
書き込み速度、GB/秒
9.4
9.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2326
2329
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