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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

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Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 30
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.4 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2329 left arrow 1927

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