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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
1927
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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