Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 30
    En 7% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.4 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21% mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.4 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2329 left arrow 1927
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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