RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
1927
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link