Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Gesamtnote
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Unterschiede

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 42
    Rund um -45% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.1 left arrow 13.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 8.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 18.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 14.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2150 left arrow 3563
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche