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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
13.9
18.1
写入速度,GB/s
8.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3563
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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