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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
3,405.2
16.0
写入速度,GB/s
2,622.0
12.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3071
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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