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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
総合得点
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
42
周辺 -45% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
29
読み出し速度、GB/s
13.9
18.1
書き込み速度、GB/秒
8.1
14.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2150
3563
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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