RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3563
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link