Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.9 left arrow 13.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 42
    Por volta de -20% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    42 left arrow 35
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 13.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.1 left arrow 7.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2150 left arrow 2409
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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