Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Gesamtnote
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Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Unterschiede

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 13.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 42
    Rund um -20% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 13.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 7.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2150 left arrow 2409
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