Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 13.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 42
    Intorno -20% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.9 left arrow 13.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 7.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2150 left arrow 2409
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