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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno -20% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
35
Velocità di lettura, GB/s
13.9
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2409
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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