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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Comparez
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de -20% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
42
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2409
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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