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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2527
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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