Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 69
    En -68% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    7.7 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.6 left arrow 1,441.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    69 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,325.1 left arrow 7.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,441.2 left arrow 7.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    525 left arrow 1855
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones