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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
69
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.7
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
41
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
7.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
1855
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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