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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
11.7
17.8
写入速度,GB/s
7.2
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3458
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
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