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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.8
19.2
写入速度,GB/s
8.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3256
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
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