RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3256
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link