RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3740
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link