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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,723.5
20.9
写入速度,GB/s
2,076.1
15.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3740
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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