RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
75
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
1956
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link