RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2782
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link