RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2886
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link