RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
2886
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link