RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de 23% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link