RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno 23% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
31
Velocità di lettura, GB/s
16.0
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link